离化pvd技术通过将成膜材料高度电离化形成膜材料离子，从而增加膜材料离子的沉积动能，并使之在高化学活性状态下沉积薄膜的技术，包括离子镀、离子束沉积和离子束辅助沉积三类。
离化pvd过程大多是蒸发/溅射（气相物质激发）与等离子体离化过程（赋能、）的交叉结合。
蒸发镀膜是依靠源材料的晶格振动能克服逸出功，从而形成沉积粒子的热发射，气相沉积设备公司，即：外加能量（电阻/电子束/激光/电弧/射频）赋予材料较高的晶格振动能，使其克服固有的逸出功逸出粒子。而溅射是依靠高能离子输入动能，借助源材料中粒子间的弹性碰撞，致使更高动能粒子逸出。离化pvd 是以其它手段激发沉积物质粒子，气相沉积设备，然后使之与高度电离的等离子体交互作用（类似 pecvd），促使沉积粒子离化，使之既可被电场加速而获得更高动能，气相沉积设备价格，同时在低温状态下具有高化学活性。
薄膜(比如铱和铂薄膜)之所以引起人们的兴趣是因为它们具有---的性能 、高的电导率 、很强的催化活性以及---的稳定性等 。这些性能使得薄膜在电极材料 、微电子 、固态燃料电池和气敏元件等许多领域存在广泛的应用。
在cvd处理过程中，尺寸变形小的材料是硬质合金及含cr高的不锈钢系合金；冲压加工领域使用的模具材料主要限于合金工具钢、冷作模具钢（cr12mov）、硬质合金等，其中快冷淬透钢，由于快冷时容易产生翘曲、扭曲等变形，所以不宜进行cvd处理；而高速钢是热处理膨胀较大的钢种，石墨气相沉积设备厂家，使用时必须充分估计其膨胀变形量。
直流等离子体化学气相沉积（dc-pcvd）
dc-pcvd是利用高压直流负偏压（-1～-5kv），使低压反应气体发生辉光放电产生等离子体，等离子体在电场作用下轰击工件，并在工件表面沉积成膜。
直流等离子体比较简单，工件处于阴极电位，受其外形、大小的影响，使电场分布不均匀，在阴极四周压降，电场强度，正由于有这一特点，所以化学反应也集中在阴极工件表面，加强了沉积效率，避免了反应物质在器壁上的消耗。缺点是不导电的基体或薄膜不能应用。由于阴极上电荷的积累会排斥进一步的沉积，并会造成积累放电，破坏正常的反应。
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