电子纳米镀膜设备-台湾纳米镀膜设备-拉奇纳米

金属钯及其合金具有很强的氢气吸附能力和特殊的选择渗透能力， 是理想的氢气储存和净化材料 。目前， 通常使用整体钯合金或镀钯等方法制造氢净化设备。近年来 ，有研究者尝试采用化学气相沉积法制备钯的薄膜或薄层材料 ， 他们选用分解温度很低的金属有机化合物作为沉积钯的源物质，台湾纳米镀膜设备， 他们是:---[β-酮] pd(ⅱ)、pd(η3 -c 3 h 5 )(η 5-c 5 h 5 )和 pd(η3-c 3 h 5 )(cf 3 cochcocf 3 )等。采用化学气相沉积法可以制备高纯度的钯薄膜 。

（1）化学气相沉积（cvd）反应温度一般在900~1200℃，电子纳米镀膜设备，中温cvd例如mocvd（金属有机化合物化学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。

“辅助”cvd的工艺较多，主要有：

电子辅助cvd（eacvd）（也称为电子束辅助cvd，电子增强cvd，或电子束---cvd），涂层的形成在电子作用下得到改进。

激光辅助cvd（lacvd)，也称为激光cvd或光子辅助cvd，涂层的形成在激光辐照作用下得到改进。

热丝cvd，也称为热cvd，一根热丝放在被镀物件附近进行沉积。

金属有机化合物cvd（mocvd），是在一种有机金属化合物气氛（这种气氛在室温时是稳定的，但在高温下分解）中进行沉积。