




微波等离子体化学气相沉积(mw-pcvd)
微波等离子体的特点是能量大,活性强。激发的亚稳态原子多,化学反应轻易进行,是一种很有发展前途、用途广泛的新工艺,镀膜设备生产,微波频率为2.45ghz,
微波放电与直流辉光放电相比具有设备结构简单,轻易起辉,耦合,工作稳定,镀膜设备,无气体污染及电极腐蚀,工作频带宽等优点,装置主要由微波发生器、环形器、定向耦合器、表面波导放电部分及沉积室组成。
人们把等离子体、离子束引入到传统的物理气相沉积技术的蒸发和溅射中,参与其镀膜过程,同时通入反应气体,也可以在固体表面进行化学反应,生成新的合成产物固体相薄膜,工具镀膜设备,称其为反应镀。
在溅射钛(ti)等离子体中通入反应气体n2后合成tin就是一例。
这就是说物理气相沉积也可以包含有化学反应。又如,手机纳米镀膜设备,在反应室内通入,借助于w靶阴极电弧放电,在ar,w等离子体作用下使分解,并在固体表面实现碳键重组,生成掺w的类金刚石碳减摩膜,人们习惯上把这种沉积过程仍归入化学气相沉积,但这是在典型的物理气相沉积技术——金属阴极电弧离子镀中实现的。
pcvd的工艺装置由沉积室、反应物输送系统、放电电源、真空系统及检测系统组成。气源需用气体净化器除往水分和其它杂质,经调节装置得到所需要的流量,再与源物质同时被送进沉积室,在一定温度和等离子体等条件下,得到所需的产物,并沉积在工件或基片表面。所以,pcvd工艺既包括等离子体物理过程,又包括等离子体化学反应过程。
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