




化学气相沉积tin
将经清洗、脱脂和氨气还原处理后的模具工件,镀膜设备,置于充满h2(体积分数为99.99%)的反应器中,加热到900-1100℃,通入n2(体积分数为99.99%)的同时,并带入气态ticl4(分数不低于99.0%)到反应器中,则在工件表面上发生如下化学反应:
2ticl4(气)+n2(气)+4h2(气)***2tin(固)+8hcl(气)
固态tin沉积在模具表面上形成tin涂层,厚度可达3-10μm,副产品hcl气体则被吸收器排出。工艺参数的控制如下:
(1)氮氢比对tin的影响
一般情况下,氮氢体积比vn2/vh2<1/2时,随着n2的增加,tin沉积速率增大,涂层显微硬度增大;当vn2/vh2≈1/2时,沉积速率和硬度达到值;当vn2/vh2>;1/2时,沉积速率和硬度逐渐下降。当vn2/vh2≈1/2时,所形成的tin涂层均匀致密,晶粒细小,镀膜设备厂,硬度,涂层成分接近于化学当量的tin,而且与基体的结合牢固。因此,vn2/vh2要控制在1/2左右。
物理气相沉积(pvd)工艺已经有100多年的历史了,镀膜设备生产,等离子辅助pvd大约在80年前就申请了---。术语“物理气相沉积”仅在60年代出现。当时,需要通过发展众所周知的技术来发展真空镀膜工艺,例如溅射,真空,等离子体技术,磁场,气体化学,热蒸发,弓形和电源控制,如powell的书中详细描述的。在过去的30年中,等离子辅助pvd(papvd)被分为几种不同的电源技术,例如直流(dc)二极管,三极管,射频(rf),脉冲等离子体,离子束辅助涂层等。,该过程在基本理解上存在一些困难,因此引入了---的更改以提供好处,例如从涂层到基材的---附着力,结构控制以及低温下的材料沉积。
真空镀膜机主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜,具体包括很多种类,包括真空离子蒸发,磁控溅射,mbe分子束外延,pld激光溅射沉积等很多种。主要思路是分成蒸发和溅射两种。
真空镀膜机工作的环境要求:
真空镀膜设备要在真空条件下工作,因此该设备要满足真空对环境的要求。真空对环境的要求,一般包括真空设备对所处实验室(或车间)的温度、空气中的微粒等周围环境的要求,和对处于真空状态或真空中的零件或表面要求两个方面。
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