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化学气相沉积工艺是这样一种沉积工艺，被沉积物体和沉积元素（单元或多元）蒸发化合物置于反应室，当高温气流进入反应室时，可控制的反应室可使其发生一种合适的化学反应，导致被沉积物体的表面形成一种膜层，同时将反应产物及多余物从反应室蒸发排除。

镀膜机工艺在防伪技能中的运用防伪膜品种许多，从运用办法可分为反射式和透射式；从膜系附着办法能够分为直接镀膜式、直接镀膜式或直接镀膜剪贴式。

直流等离子体化学气相沉积（dc-pcvd）

dc-pcvd是利用高压直流负偏压（-1～-5kv），使低压反应气体发生辉光放电产生等离子体，等离子体在电场作用下轰击工件，并在工件表面沉积成膜。

直流等离子体比较简单，工件处于阴极电位，电子真空镀膜设备，受其外形、大小的影响，使电场分布不均匀，在阴极四周压降，电场强度，正由于有这一特点，硅胶真空镀膜设备，所以化学反应也集中在阴极工件表面，加强了沉积效率，真空镀膜设备，避免了反应物质在器壁上的消耗。缺点是不导电的基体或薄膜不能应用。由于阴极上电荷的积累会排斥进一步的沉积，并会造成积累放电，破坏正常的反应。