总之，化学气相沉积就是，利用气态物质在固体表面上进行化学反应，生成固态沉积物的过程。其过程如下：
（1）反应气体向工件表面扩散并吸附。
（2）吸附于工件表面的各种物质发生表面化学反应。
（3）生成物质点---成晶核并长大。
（4）表面化学反应中产生的气体产物脱离工件表面返回气相。
（5）沉积层与基体的界面发生元素的相互扩散，而形成镀层。
cvd法是，将工件置于有氢气保护的炉内，加热到800℃以上高温，向炉内通入反应气体，使之在炉内热解，化合成新的化合物沉积在工件表面。在模具的应用中，其覆膜厚度一般为6-10μm。
pcvd的工艺装置由沉积室、反应物输送系统、放电电源、真空系统及检测系统组成。气源需用气体净化器除往水分和其它杂质，经调节装置得到所需要的流量，再与源物质同时被送进沉积室，在一定温度和等离子体等条件下，得到所需的产物，并沉积在工件或基片表面。所以，pcvd工艺既包括等离子体物理过程，又包括等离子体化学反应过程。
直流等离子体化学气相沉积（dc-pcvd）
dc-pcvd是利用高压直流负偏压（-1～-5kv），使低压反应气体发生辉光放电产生等离子体，纳米镀膜设备，等离子体在电场作用下轰击工件，并在工件表面沉积成膜。
直流等离子体比较简单，五金配件纳米镀膜设备，工件处于阴极电位，硅胶纳米镀膜设备，受其外形、大小的影响，使电场分布不均匀，在阴极四周压降，汽车配件纳米镀膜设备，电场强度，正由于有这一特点，所以化学反应也集中在阴极工件表面，加强了沉积效率，避免了反应物质在器壁上的消耗。缺点是不导电的基体或薄膜不能应用。由于阴极上电荷的积累会排斥进一步的沉积，并会造成积累放电，破坏正常的反应。
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