直流等离子体化学气相沉积（dc-pcvd）
dc-pcvd是利用高压直流负偏压（-1～-5kv），使低压反应气体发生辉光放电产生等离子体，等离子体在电场作用下轰击工件，并在工件表面沉积成膜。
直流等离子体比较简单，工件处于阴极电位，电子纳米镀膜设备，受其外形、大小的影响，led纳米镀膜设备，使电场分布不均匀，在阴极四周压降，电场强度，正由于有这一特点，所以化学反应也集中在阴极工件表面，加强了沉积效率，避免了反应物质在器壁上的消耗。缺点是不导电的基体或薄膜不能应用。由于阴极上电荷的积累会排斥进一步的沉积，并会造成积累放电，破坏正常的反应。
气相沉积主要分为两大类：
化学气相沉积(，简称cvd)；
物理气相沉积(，简称pvd)。
，人们利用易挥发的液体tici稍加热获得tici气体和nh气体一起导入高温反应室，让这些反应气体分解，再在高温固体表面上进行遵循热力学原理的化学反应，生成tin和hci，hci被抽走，tin沉积在固体表面上成硬质固相薄膜。人们把这种通过含有构成薄膜元素的挥发性化合物与气态物质，在固体表面上进行化学反应，且生成非挥发性固态沉积物的过程，称为化学气相沉积(，cvd)。
当考虑电子束蒸发技术时，该方法涉及纯粹的物理过程，其中目标充当包含待沉积材料的蒸发源，该材料用作阴极。请注意，系统会根据电子束功率蒸发任何材料。通过在高真空下轰击电子，在高蒸气压下加热材料，并释放出颗粒。然后，在原子尺寸释放的粒子和气体分子之间发生冲突，台湾纳米镀膜设备，该粒子插入反应器中，手机纳米镀膜设备，旨在通过产生等离子体来加速粒子。该等离子体穿过沉积室，在反应器的中间位置---。连续压缩层被沉积，从而增加了沉积膜对基底的粘附力
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