电子真空镀膜设备-真空镀膜设备-东莞拉奇纳米

若将反应气体导入蒸发空间，便可在工件表面沉积金属化合物涂层，这就是反应性离子镀。由于采用等离子活化，真空镀膜设备，工件只需在较低温度甚至在室温下进行镀膜，完全---零件的尺寸精度和表面粗糙度，因此，可以安排在工件淬火、回火后即后一道工序进行。如沉积tin或tic时，基体温度可以在150-600℃范围内选择，温度高时涂层的硬度高，与基体的结合力也高。基体温度可根据基体材料及其回火温度选择，如基体为高速钢，真空镀膜设备，可选择560℃，显示屏真空镀膜设备，这样，对于经淬火、回火并加工到尺寸的模具加工，无需---基体硬度降低及变形问题。另外，离子镀的沉积速度较其他气相沉积方法快，得到10mm厚的tic或tin涂层，一般只需要几十分钟。

常压化学气相沉积（npcvd）或---压下化学气相沉积（apcvd）是在0.01—0.1mpa压力下进行，低压化学气相沉积（lpcvd）则在10-4 mpa下进行。cvd或辉光放电cvd，是低压cvd的一种形式，其优点是可以在较低的基材温度下获得所希望的膜层性能。

cvd的进一步发展是化学气相浸渍（cvi） ，或称化学气相注入，在这种工艺中由多孔材料制成的物件被注入某种元素以强化基材性能。

等离子辅助cvd（pacvd），也称为等离子活化cvd，等离子援助cvd，等离子增强cvd。