直流等离子体化学气相沉积（dc-pcvd）
dc-pcvd是利用高压直流负偏压（-1～-5kv），使低压反应气体发生辉光放电产生等离子体，等离子体在电场作用下轰击工件，并在工件表面沉积成膜。
直流等离子体比较简单，工件处于阴极电位，受其外形、大小的影响，使电场分布不均匀，镀膜设备，在阴极四周压降，玻璃镀膜设备，电场强度，正由于有这一特点，所以化学反应也集中在阴极工件表面，加强了沉积效率，手机镀膜设备，避免了反应物质在器壁上的消耗。缺点是不导电的基体或薄膜不能应用。由于阴极上电荷的积累会排斥进一步的沉积，并会造成积累放电，破坏正常的反应。
一个真正的单层，即大面积石墨烯薄膜覆盖在大面积铜箔上。改进了化学气相沉积(cvd)生长方法，真空镀膜设备，消除了石墨烯生长在铜箔上的所有碳杂质。这种均匀“”的单层单晶石墨烯有望被用作分辨率透射电镜成像和光学设备的超薄支撑材料。也可作为一种合适的石墨烯，以实现非常均匀的功能化，这将促使推动许多其他应用，---是用于各种类型的传感器。
金属钯及其合金具有很强的氢气吸附能力和特殊的选择渗透能力， 是理想的氢气储存和净化材料 。目前， 通常使用整体钯合金或镀钯等方法制造氢净化设备。近年来 ，有研究者尝试采用化学气相沉积法制备钯的薄膜或薄层材料 ， 他们选用分解温度很低的金属有机化合物作为沉积钯的源物质， 他们是:---[β-酮] pd(ⅱ)、pd(η3 -c 3 h 5 )(η 5-c 5 h 5 )和 pd(η3-c 3 h 5 )(cf 3 cochcocf 3 )等。采用化学气相沉积法可以制备高纯度的钯薄膜 。
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